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ChemElectroChem:MoS2@N-MXene/C复合材料的合成及其钠离子电池赝电容效应

钠与锂同属一个主族,并且在自然界中含量非常丰富,因此钠离子电池(NIBs)引起了越来越多的关注。但是Na离子半径(1.02 Å)和还原电位(-2.71 V)均大于Li离子(0.76 Å和-3.04 V) 。这种区别导致典型的商用锂离子电池石墨负极由于其层间距小,不适合用于钠离子存储。因此,研制新型的NIBs负极材料具有重要意义。


基于此,广东工业大学闵永刚教授和仲恺农业工程学院廖松义博士在ChemElectroChem期刊上发表题为“Synthesis of MoS2N-MXene/C heterogeneous nanosheets andits enhanced pseudocapacitance effects for NIBs”的研究性文章。该研究通过将MoS2锚定在含碳涂层的氮掺杂MXene纳米片上(缩写为MoS2@N-MXene/C,如图1),获得具有优异电化学性能的NIBs负极材料。采用XRD、XPS和SEM/TEM对MoS2@N-MXene/C的结构、表面化学状态和微观形貌进行了详细的分析和表征。结果表明,MoS2负载在N-MXene上形成了均匀的纳米片异质结构。当应用于NIBs负极时,MoS2@N-MXene/C在4 A/g时展现约189 mAh/g,在0.5 A/g循环300次后保持约308 mAh/g(如图2)。此外,根据CV曲线的模拟和计算,MoS2@N-MXene/C的优异的电化学性能因归因于其超高的赝电容贡献率(在2 mV/s扫描速率下赝电容贡献率为84.5%,如图3)。



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图1 MoS2@N-MXene/C复合材料的合成原理图

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图2 MoS2@N-MXene/C复合材料a)循环伏安曲线,b)循环过程中充放电曲线c) 倍率性能及其相应的d)充放电曲线和MoS2@N-MXene/C和MoS2@MXene/C的e)长期循环性能和f)EIS图谱对比

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图3 a)的CV曲线MoS2@N-MXene/C,扫描速率逐渐增加;b) 拟合后ln(峰值电流)与ln(扫描速率)的关系图;c) 在逐渐增加的扫描速率(从0.2到2.0 mV/s)下的赝电容贡献;d) 扫描速率为2.0 mV/s时的CV曲线,阴影区域显示了赝电容贡献

MoS2@N-MXene/C异构纳米片成功合成并应用于NIBs负极中。由于N原子掺杂到MXene中,MXene的比表面积、形貌和导电性都有了很大的提高。当与MoS2复合时,得到具有分层的二维纳米片复合结构的MoS2@N-MXene/C。采用XRD、SEM、TEM和XPS对MoS2@N-MXene/C的结构、表面化学状态和微观形貌进行了表征。此外,MoS2@N-MXene/C负极在0.5 A/g循环300次后仍保持在~308 mAh/g,在4 A/g时表现出优异的倍率性能:~189 mAh/g。EIS结果表明,MoS2@N-MXene/C复合材料比MoS2@MXene/C具有较低的电荷转移电阻。根据CV曲线模拟,在2 mV/s扫描速率下,MoS2@N-MXene/C异质纳米片具有84.5%的伪电容效应。MoS2@N-MXene/C优异的电化学性能应归功于高导电性的N-MXene和其上锚定的MoS2共同形成了有效的电荷转移和离子扩散通道。因此,这项工作为未来NIBs负极的发展提供一些借鉴。

文信息

Synthesis of MoS2@N-MXene/C Heterogeneous Nanosheets and its Enhanced Pseudocapacitance Effects for NIBs

Wei-Xiang Cheng, Yi-Zhao Chen, Song-Yi Liao, Jun-Qi Hu, Cun-Sheng Liu, Shuai-Fu Cui, Xing-Wen Huang, Prof. Yidong Liu, Prof. Yonggang Min

本文第一作者为广东工业大学硕士生成伟翔


ChemElectroChem

DOI: 10.1002/celc.202200715




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